Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTU05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
|
|
FQB6N40C | 400V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 830 | 6 | 73 |
D2-PAK |
|
STP5NB100 | N-CHANNEL 1000V - 2.4W - 5A TO-220 PowerMesh™ MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2400 | 5 | 135 |
TO-220 |
|
PCCA048N65FK8 | N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II FRFET, 650 В, 60 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 48 | 60 | - |
|
|
ZXMN10A08G | 100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 250 | 2.9 | 3.9 |
SOT-223-4 |
|
IRF3707L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 17 | 12.5 | 62 | 87 |
TO-262 |
|
FQPF13N50C | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 390 | 13 | 48 |
TO-220F |
|
STP4NM60 | N-CHANNEL 600V - 1.3W - 3A TO-220 Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 1300 | 4 | 69 |
TO-220 |
|
IXFT14N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | 14 | 400 |
|
|
STP45NF06 | N-channel 60V - 0.022? - 38A TO-220 STripFETTM II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 235 | 38 | 80 |
TO-220 |
|
IXFC22N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 360 | 360 | 360 | 360 | 360 | 12 | 130 |
|
|
SQJ962EP | Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 80 | 60 | 8 | 25 |
PowerPAK_SO-8 |
|
IRL3714 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 28 | 20 | 36 | 43 |
TO-220AB |
|
FDS8670 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4.2 | 3.3 | 21 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
STB14NK60Z-1 | N-channel 600V - 0.45Ом - 13.5A Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 450 | 13.5 | 160 |
|
|
TSM2N60CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 5000 | 1 | 70 |
TO-220 |
|
IRFIBC30G | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 2.5 | 35 |
TO-220F |
|
SUD50N04-16P | N-Channel 40-V (D-S), 175°C MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 14 | 12.5 | 20 | 35.7 |
D-PAK |
|
STB85NF3LL | N-channel 30V - 0.006? - 85A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 6 | 85 | 110 |
D2-PAK |
|
IXTP06N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 34000 | 0.6 | 42 |
TO-220 |