Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFD220 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 800 0.8 1 HEXDIP
STE40NK90ZD N-channel 900V - 0.14? - 40A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 140 40 600 ISOTOP
DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 36 25 6 1.4 SC-59
IRFS17N20D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 170 16 140 D2-PAK
STB85NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0062? - 80A - D2PAK STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.2 80 300 D2-PAK
FDMS8460 40V N-Channel Power Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 2.6 2 25 2.5 Power 56
STP4NK60ZFP N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET T0-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 1760 4 25 TO-220FP
FDB13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 11.5 62 115 TO-263AB
IRF6621 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 12.1 9.1 12 42 DirectFET-SQ
NTMFS5C646NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 6.3 4.7 93 79 DFN-5
STD100NH02L N-channel 24V - 0.0042? - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 4.2 60 100 D-PAK
I-PAK
STB19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 D2-PAK
NTD5804N Power MOSFET 40V 69A 8.5 mOhm Single N-Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 7.9 5.7 69 71 D-PAK
TSM2NB60CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 4400 2 25 ITO-220AB
FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 530 12 51 TO-220F
IRF9640SPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 500 11 125 D2-PAK
STW15NM60N N-channel 600V - 0.270? - 14A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 125 TO-247
NTA4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 242 - - 127 - 915 300 SC75
ZVP2110G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -100 - - - - 8000 -0.31 2 SOT-223-4
IRFI840G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.6 40 TO-220F
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019