Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTT8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
IXTH8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
IXFR12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 250 |
|
|
IXFR14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9.5 | 200 |
|
|
IXFH9N80Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9 | 180 |
|
|
IXFH8N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 8 | 180 |
|
|
IXFQ10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
TO-220 |
|
IXFP10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
|
|
IXFH10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFA10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
BSH203 | P-channel enhancement mode MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 30 | 1100 | - | 920 | 660 | - | 0.47 | 0.417 |
SOT-23-3 |
|
IXTP7N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 4 | 41 |
|
|
IXFH10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFM10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
TO-220 |
|
IXTA6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
|
|
IXFT12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXFH12N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|