Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
2N7228U N-CHANNEL MOSFET Microsemi MOSFET
N 1 500 - - - - 415 12 150 U-PKG
STW20NM60 N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 192 TO-247
IRFP32N50K HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 135 32 460 TO-247AC
STP11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-220
IRFZ44ZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13.9 51 80 TO-262
STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065? - 80A TO-247 STripFETTM II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 6.5 80 300 TO-247
IRF737LC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 300 - - - - 750 6.1 74 TO-220AB
STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-220
IRFB4229PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 250 - - - - 46 46 330 TO-220AB
MTP3055V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 150 12 48 TO-220
STP90NS04ZC N-channel clamped 5m? - 80A TO-220 Fully protected SAFeFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 33 - - - - 5 80 280 TO-220
STH150N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 90 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 90 250 H2PAK-2
FQPF85N06 60V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 8 53 62 TO-220F
NDF10N62Z N-канальный силовой MOSFET 10 А, 620 В, 0.65 Ом ON Semiconductor MOSFET
N 1 620 - - - - 650 10 36 TO-220FP
STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-220
STW14NM50FD N-channel 500V - 0.32? - 12A - TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 320 14 160 TO-247
IRF2804L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-262
NCV8402 Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями ON Semiconductor MOSFET
N 1 42 - - - - 165 2 8.9 SOT-223-4
STF33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 140 24 34 TO-220FP
FQP33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 39 33 127 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019