Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLF882 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 960 | 50 | - | 200 | 21 | 62 | Да |
|
| BLP05M7200 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
425 | 450 | 28 | - | 200 | 21 | 81 | Да |
|
| BLF881S | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1000 | 50 | - | 140 | 21 | 49 | Да |
|
| BLF881 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1000 | 50 | - | 140 | 21 | 49 | Да |
|
| BLF879PS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 42 | - | 500 | 21 | 47 | Да |
|
| BLF879P | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 42 | - | 500 | 21 | 47 | Да |
|
| BLF871S | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1000 | 40 | - | 100 | 21 | 60 | Да |
|
| BLF871 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1000 | 40 | - | 100 | 21 | 60 | Да |
|
| BLF6G10LS-135RN | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 135 | 21 | 28 | Да |
|
| BLF10M6LS135 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 135 | 21 | 28 | Да |
|
| BLF10M6135 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 135 | 21 | 28 | Да |
|
| BLP25M710 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 2500 | 28 | - | 10 | 20.9 | 17.1 | Да |
|
| AFT05MS004N | Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast мощностью 4 Вт |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 941 | 7.5 | 36 | 4.9 | 20.9 | 74.9 | Нет |
SOT-89 |
| BLP7G07S-140P | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 140 | 20.9 | 29.6 | Да |
|
| MRF8P8300HSR6 | MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
750 | 820 | 28 | 55.3 | 96 | 20.9 | 35.7 | Да |
|
| MRF8P8300HR6 | MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
750 | 820 | 28 | 55.3 | 96 | 20.9 | 35.7 | Да |
|
| BLP8G10S-45PG | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 20.8 | 19.8 | Да |
|
| BLF10H6600PS | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 1000 | 50 | - | 600 | 20.8 | 46 | Да |
|
| BLF10H6600P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 1000 | 50 | - | 600 | 20.8 | 46 | Да |
|
| BLP8G10S-45P | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 20.8 | 19.8 | Да |
|
