Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRFE6VP5600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 57.8 600 24.6 75.2 Да NI-1230
NI-1230S
BLF188XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 26.5 83 Да SOT-1248C
BLF888DS Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 806 50 - 600 17 48 Да SOT-539B
MRFE6VP5300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 70 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
BLF188XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539B
BLL6H0514LS-130 Силовые LDMOS-транзисторы NXP LDMOS транзисторы
500 1400 50 - 130 10 54 Да SOT-1135B
BLF888D Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 806 50 - 600 17 48 Да SOT-539A
MRFE6VP5150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 51.8 150 26.3 72 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
BLF188XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539A
AFV09P350-04GNR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780G-4L
AFV09P350-04NR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780-4L
BLA6H1011-600 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1030 1090 48 - 600 17 52 Да SOT-539A
A2G22S160-01SR3 Радиочастотный GaN транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1800 2200 48 51 32 19.6 38 Да NI-400S-2S
BLL6H1214P2S-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 45 - 250 27 48 Да SOM-039
BLF879PS Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 860 42 - 500 21 47 Да SOT-539B
BLF879P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 860 42 - 500 21 47 Да SOT-539A
BLF871S Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1 1000 40 - 100 21 60 Да SOT-467B
BLF871 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1 1000 40 - 100 21 60 Да SOT-467C
BLL6G1214LS-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502B
BLL6G1214L-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502A
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019