Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| PD85025C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 13.6 | - | 25 | 16 | 73 | Да |
|
| PD85025-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 870 | 13.6 | - | 25 | 15.7 | 65 | Да |
|
| MRFE6VS25N | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 44 | 25 | 25.5 | 74.5 | Да |
|
| MRFE6VS25LR5 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 44 | 25 | 25.9 | 74 | Да |
|
| PD55025-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 25 | 14.5 | 58 | Да |
|
| MRFE6S9125NBR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 51 | 27 | 20.2 | 31 | Да |
|
| MRFE6S9125NR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 51 | 27 | 20.2 | 31 | Да |
|
| MRF8S9102NR3 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 50 | 28 | 23.1 | 36.4 | Да |
|
| A2T26H160-24SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 51.4 | 28 | 16.4 | 48.1 | Да |
|
| MRF8S21120HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 50.3 | 28 | 17.6 | 34 | Да |
|
| MRF8S21120HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 50.3 | 28 | 17.6 | 34 | Да |
|
| MRF6S19140HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 51.5 | 29 | 16 | 27.5 | Да |
|
| MRF6S19140HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 51.5 | 29 | 16 | 27.5 | Да |
|
| BLM6G22-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
| MRF8P23160WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
| BLM6G10-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
860 | 960 | 28 | - | 30 | 29 | 11.5 | Да |
|
| MRF8P23160WHR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
| CLF1G0060S-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| CLF1G0060-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| SD57030-01 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 30 | 13 | 60 | Да |
|
