+ CLF1G0060S-10, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

CLF1G0060S-10 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

 

Блок-схема

CLF1G0060S-10, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 0
Тактовая частота: F (макс.),МГц 6000
VDS,В 50
POUT,Вт 10
Gain (тип.),дБ 18.8
µD,% 48.2
Согласованный Да
Корпус SOT-1227B

Общее описание
Datasheet
 
CLF1G0060-10 (194.2 Кб), 07.07.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CLF1G0060-10 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT (194.2 Кб), 07.07.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 460 		Дата публикации: 07.07.2015 08:14
Дата редактирования: 07.07.2015 08:15

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники