Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFP4242PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 300 - - - - 59 46 430 TO-247AC
STW30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 TO-247
IXFT40N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 140 140 140 140 140 40 500 TO-268
FQP5N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 1270 4.5 70 TO-220
STP120NF10 N-channel 100V - 0.009? - 110A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 9 110 312 TO-220
IXTA160N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 5 5 5 5 5 160 250 TO-263
Si4455DY P-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 150 - - - - 245 2.8 5.9 SOIC-8
IRF3709ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.8 6.3 87 79 D2-PAK
STP21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-220
IXTM40N30 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 300 88 88 88 88 88 40 300 TO-204AE
FDB8444 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 3.9 70 167 TO-263AB
FCH043N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 75 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 43 75 592 TO-247
PSMN015-110P N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 110 - - - - 12 75 300 TO-220AB
IXFP12N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 500 500 500 500 500 6 50 TO-220-3 ISO
Si7450DP N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 65 3.2 1.9 PowerPAK_SO-8
IXTQ110N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 15 15 15 15 15 110 480 TO-3P
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
IPD90N06S4-07 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 5.7 90 79 TO-252
STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 100 TO-220
RFD14N05SM N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - - 100 14 48 TO-252 AA
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019