Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 20 9000 - - 5000 - 0.2 0.625 SC?89
TN2425 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 250 - - - 5000 3500 1.5 1.6 SOT-89
Si1032X N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC89-3
Si1032R N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 9000 - 7000 5000 - 0.2 0.3 SC75A
TN2106N3-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 60 - - - 5000 2500 0.3 0.74 TO-92
TN2106K1-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 60 - - - 5000 2500 0.28 0.36 SOT-23-3
IXTP3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-220
IXTH3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-247
IXTA3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-263
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTP08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263
IXFP3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXFA3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTH3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 150 TO-247
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXTA3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
TN2529 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 290 - - - 4000 4000 2.8 2 QFN-14
TSM2N7002KDCU6 N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 4000 2000 0.3 0.3 SOT-363
TN2524 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 240 - - - 4000 4000 2.8 1.6 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники