Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDG6301N | Dual N-Channel, Digital FET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 25 | - | - | 3700 | 2600 | 2600 | 0.22 | 0.3 |
SC70-6 |
|
IXFA3N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3.6 | 100 |
|
|
IXFP3N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3.6 | 100 |
TO-220 |
|
IXTN8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 7.5 | 700 |
|
|
IXTX8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 8 | 700 |
|
|
IXTK8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 8 | 700 |
|
|
IXTH6N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3500 | 3500 | 3500 | 3500 | 3500 | 6 | 540 |
|
|
IXTA4N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3.6 | 100 |
|
|
IXTP4N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3400 | 3.6 | 100 |
TO-220 |
|
IXFP4N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 4 | 150 |
TO-220 |
|
IXFA4N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 4 | 150 |
|
|
IXFP4N100PM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 2.5 | 57 |
|
|
SiA850DJ | N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 190 | 3500 | - | 3200 | 3000 | - | 0.95 | 7 |
PowerPAK SC70-6 |
|
BSP122 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | 3000 | - | 1700 | 550 | 1.5 |
SOT-223-4 |
|
IXFT4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
IXFH4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
IXFP4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
|
|
IXFA4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 4 | 150 |
TO-220 |
|
IXFR4N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3.5 | 80 |
|
|
IXFP4N100QM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 2.2 | 46 |
|