Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTH500N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 1000 TO-247
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
IXFH400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-247
IXFN36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 240 240 240 240 240 36 1000 SOT-227 B
IXFT400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-268
IXFN30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 25 1000 SOT-227 B
IXFK64N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 85 85 85 85 85 64 1000 TO-264
IXFX64N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 85 85 85 85 85 64 1000 ISOPLUS247
IXFN62N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 140 140 140 140 140 49 960 SOT-227 B
IXTQ480P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-3P
IXFX120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 PLUS247
IXFN44N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 38 960 SOT-227 B
IXTK60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 60 960 TO-264
IXFX32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 PLUS247
IXTX5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 PLUS247
IXTX60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 60 960 PLUS247
IXFK32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 TO-264
IXFT52N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-268
IXFX26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 PLUS247
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники