Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA7N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1100 1100 1100 1100 1100 7 150 TO-263
PSMN035-150P N-канальный полевой транзистор NXP MOSFET
N 1 150 - - - - 35 50 250 TO-220AB
TN0620 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 200 - - - - 4000 1 1 TO-92
FA38SA50LC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 130 38 500 SOT-227
FCD2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 0.00225 2.6 39 D-PAK
STB7NK80Z N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 1500 5.2 125 D2-PAK
I2PAK
FDD2572_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 150 - - - - 45 29 135 TO-252 AA
IXTY55N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 19.5 19.5 19.5 19.5 19.5 55 130 TO-252
STE110NS20FD N-channel 200V - 0.022? - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 22 110 500 D-PAK
TO-252
I-PAK
IXTH3N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1500 7300 7300 7300 7300 7300 3 250 TO-247
IXFK27N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 320 320 320 320 320 27 500 TO-264AA
STB5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ?,4.4 A,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 520 - - - - 1220 4.4 70 I2PAK
FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 1200 7 160 TO-220F
IRF3709ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.8 6.3 87 79 D2-PAK
IRFB3006PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 2.1 195 375 TO-220AB
TSM3442CX6 N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 20 - 90 - 70 - 4 1.25 SOT-26
STB19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 D2-PAK
FDD3690 100V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 44 22 60 D-PAK
TO-252
IRL3803S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 9 6 140 200 D2-PAK
IXFH30N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 240 240 240 240 240 30 500 PLUS220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019