Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTK22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 600 600 600 600 600 22 600 TO-264
IXFR12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 10 250 ISOPLUS247
IXTY1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-252
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IRFPG50PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 2000 6.1 190 TO-247AC
IXFK32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 320 320 320 320 320 32 1250 TO-264
STW11NK100Z N-channel 1000V - 1.1? - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 1100 8.3 230 TO-247
IXFN44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 220 220 220 220 220 37 890 SOT-227 B
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
IXFT12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-220AB
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTX24N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 400 400 400 400 400 24 568 PLUS247
IRFPG40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 3500 4.3 150 TO-247AC
IXFK24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 TO-264
IXFN36N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 240 240 240 240 240 36 700 SOT-227 B
IXFT10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-268
IXTA1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-263
IXFR14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 9.5 200 ISOPLUS247
IXTP3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019