Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTK22N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 22 | 600 |
|
|
IXFR12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 250 |
|
|
IXTY1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
|
IXFV10N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IRFPG50PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2000 | 6.1 | 190 |
TO-247AC |
|
IXFK32N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 32 | 1250 |
|
|
STW11NK100Z | N-channel 1000V - 1.1? - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 1100 | 8.3 | 230 |
|
|
IXFN44N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 37 | 890 |
|
|
IXTH12N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 12 | 400 |
|
|
IXFT12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXTP1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
|
IXFH10N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IXTX24N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 24 | 568 |
|
|
IRFPG40PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 3500 | 4.3 | 150 |
TO-247AC |
|
IXFK24N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 440 | 440 | 440 | 440 | 440 | 24 | 1000 |
|
|
IXFN36N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 36 | 700 |
|
|
IXFT10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXTA1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
|
|
IXFR14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9.5 | 200 |
|
|
IXTP3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
TO-220 |