TK25Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В

 

Блок-схема

TK25Z60X, N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 10 В,мОм 12.5
ID 25
PD,Вт 180
Корпус TO-247-4

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Очень высокая скорость переключения
  • Наличие дополнительного вывода истока – истока Кельвина
  • Низкие потери на переключение
  • Очень малое значение сопротивления открытого канала RDS(ON)
  • Низкий температурный коэффициент сопротивления RDS(ON)
  • Напряжение сток-исток VDS: 600 В (макс.)
  • Ток стока ID:
    • TK25Z60X: 25 А
    • TK31Z60X: 30.8 А
    • TK39Z60X: 38.8 А
    • TK62Z60X: 61.8 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON):
    • TK25Z60X: 0.105 Ом (тип.)
    • TK31Z60X: 0.073 Ом (тип.)
    • TK39Z60X: 0.055 Ом (тип.)
    • TK62Z60X: 0.033 Ом (тип.)
  • Максимальная температура канала Tch: +150°C
  • 4-выводной корпус TO-247

Область применения:

  • Источники питания с коррекцией коэффициента мощности и резонансные преобразователи (LLC)
Datasheet
 
TK25Z60X (248.9 Кб), 24.08.2016

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TK25Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В (248.9 Кб), 24.08.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 416
Дата публикации: 24.08.2016 10:54
Дата редактирования: 24.08.2016 11:05


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019