+ CLF1G0035S-100P, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT
 

CLF1G0035S-100P Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

 

Блок-схема

CLF1G0035S-100P, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 0
Тактовая частота: F (макс.),МГц 3500
VDS 50
POUT,Вт 100
Gain (тип.),дБ 14.4
µD,% 54.4
Согласованный Да
Корпус SOT-1228B

Общее описание

Datasheet
 
CLF1G0035-100P (184.2 Кб), 06.07.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CLF1G0035-100P Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT (184.2 Кб), 06.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 446
Дата публикации: 06.07.2015 16:33
Дата редактирования: 06.07.2015 16:33


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019