Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
AFT09S200W02S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
930 960 28 51.7 56 19.4 35.6 Да NI-780S-2L
AFT21S140W02SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.5 32 19.3 33.5 Да NI-780S-2L
AFT21S230-12SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L2L
AFT18S260W31SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 53.6 50 19.6 29.3 Да NI-780S-2L2LA
AFT21S230SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L4S
AFT23S170-13SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.7 45 18.8 33.9 Да NI-780S-2L4S
MRF8P20100HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2025 28 48.9 20 16 44.3 Да NI-780S-4
MRF8P23160WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780S-4
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF7P20040HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2010 2025 32 45.4 10 18.2 42.6 Да NI-780S-4
MRFE6VP6300H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 80 Да NI-780-4
NI-780S-4
MRF8HP21080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 47.8 16 14.4 45.7 Да NI-780S-4
MRF8P20160HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 50.3 37 16.5 45.8 Да NI-780S-4
MRF8P23080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 47.4 16 14.6 42 Да NI-780S-4
MRF8P20161HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 1920 28 49.9 37 16.4 45.8 Да NI-780S-4
MRFE6VP100H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 50 100 27.2 70 Да NI-780-4
NI-780S-4
MRF8P20165WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1995 28 50.2 37 16.3 47.7 Да NI-780S-4
A2T07D160W04S Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 49 30 21.5 48.5 Да NI-780S-4L
MRF8P20140WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780S-4L
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019