Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF6VP21KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 235 50 60 1000 24 67.5 Да NI-1230
MRFE6VP5600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 57.8 600 24.6 75.2 Да NI-1230
NI-1230S
MRF6VP2600HR6 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2 500 50 57.8 125 25 28.5 Да NI-1230
MRF6V2150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 450 50 51.8 150 25 68.3 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V10010NR4 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
960 1400 50 40 10 25 69 Да PLD--1.5W
MRFE6VP6300H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 80 Да NI-780-4
NI-780S-4
MD7IC2755N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44.8 10 25 25 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MRFE6VP5300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 70 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRFE6VS25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.5 74.5 Да TO-270-2
TO-270-2GULL
MRFE6VS25LR5 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.9 74 Да NI-360-2
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
BLF178P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
BLF578 Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
MRFE6VP5150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 51.8 150 26.3 72 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
BLF574 Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 500 26.5 70 Да SOT-539A
BLF188XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 26.5 83 Да SOT-1248C
BLP10H610 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 1400 50 - 10 26.7 46 Да SOT-1352-1
BLL6H1214P2S-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 45 - 250 27 48 Да SOM-039
BLP05H6150XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 150 27 75 Да SOT-1223-2




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019