Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 25 26 27 28 29 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
BLF188XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539B
BLF188XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539A
BLM6G22-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2100 2200 28 - 30 29.5 9 Да SOT-834-1
BLM6G22-30G Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2100 2200 28 - 30 29.5 9 Да SOT-822-1
BLM7G1822S-80ABG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 80 30 24 Да SOT-1212-1
BLM7G1822S-80AB Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 80 30 24 Да SOT-1211-1
MD7IC2050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1880 2025 28 47.8 10 30.5 37.4 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MW7IC2220N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 43 2 31 13 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MD7IC2250N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 47.3 5.3 31.1 16.8 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
BLM7G1822S-40PBG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 40 31.5 25 Да SOT-1212-1
BLM7G1822S-40PB Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 40 31.5 25 Да SOT-1211-1
MD7IC2012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 40.8 1.3 31.5 14.9 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MD7IC1812N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 40.8 1.3 31.5 14 Да TO-270WB-14
TO-270WBG-14
BLM7G24S-30BG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2100 2400 28 - 30 31.5 11.3 Да SOT-1212-1
BLM7G22S-60PBG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2100 2400 28 - 60 31.5 11.3 Да SOT-1212-1
BLM7G22S-60PB Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2100 2400 28 - 60 31.5 11.3 Да SOT-1211-1
MW7IC2040N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1930 1990 28 44.8 4 32 17.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
BLM7G1822S-20PBG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 20 32.2 23.6 Да SOT-1212-1
BLM7G1822S-20PB Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 - 20 32.2 23.6 Да SOT-1211-1
A2I25D025GNR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WBG-17
Страницы: предыдущая 1 ... 25 26 27 28 29 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники