IXTQ40N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTQ40N50L2, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 170
RDS(ON) 2,7 В,мОм 170
RDS(ON) 2,5 В,мОм 170
RDS(ON) 4.5 В,мОм 170
RDS(ON) 10 В,мОм 170
ID 40
PD,Вт 540
Корпус TO-3P
Datasheet
 
IXTx40N50L2 (147.6 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx40N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (147.6 Кб), 23.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 413
Дата публикации: 23.01.2012 09:37
Дата редактирования: 23.01.2012 09:37


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019