Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTQ60N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTQ60N20T, N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 40
RDS(ON) 2,7 В,мОм 40
RDS(ON) 2,5 В,мОм 40
RDS(ON) 4.5 В,мОм 40
RDS(ON) 10 В,мОм 40
ID,А 60
PD,Вт 500
Корпус TO-3P
Datasheet
 
IXTx60N20T (135.2 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx60N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор (135.2 Кб), 20.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 490 		Дата публикации: 20.01.2012 11:34
Дата редактирования: 20.01.2012 11:35

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники