IXTQ86N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTQ86N25T, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
RDS(ON) 1.8 В,мОм 37
RDS(ON) 2,7 В,мОм 37
RDS(ON) 2,5 В,мОм 37
RDS(ON) 4.5 В,мОм 37
RDS(ON) 10 В,мОм 37
ID 86
PD,Вт 540
Корпус TO-3P

Общее описание

Datasheet
 
IXTH86N25T, IXTQ86N25T, IXTV86N25T (172.7 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH86N25T, IXTQ86N25T, IXTV86N25T Trench Gate Power MOSFET (172.7 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 518 Дата публикации: 19.02.2009 13:03
Дата редактирования: 20.01.2012 12:57


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019