Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STI30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 I2PAK
FQB9N50CF 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 700 9 173 D2-PAK
Si4973DY Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 30 - - - - 18 5.8 1.1 SOIC-8
PSMN015-100P N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 12 75 300 TO-220AB
STB21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 D2-PAK
FCH130N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 28 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 130 28 278 TO-247
Si7846DP N-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 150 - - - - 41 24.5 1.9 PowerPAK_SO-8
STD5NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET DPAK, IPAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 5 96 D-PAK
I-PAK
FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 7.5 12 310 TO-247
IRLI520G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 270 7.2 37 TO-220F
STW52NK25Z N-CHANNEL 250V - 0.033? - 52A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 33 52 300 TO-247
NTP75N03L09 Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N?Channel TO-220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - - - 75 125 TO-220
IRFI644GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 280 7.9 40 TO-220F
STD60NF55LA N-channel 55V - 0.012? - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 12 60 110 D-PAK
IRFSL3206PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 3 75 300 TO-262
STW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 6000 2.5 140 TO-247
FDA20N50F 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 220 22 388 TO-3PN
STU90N4F3 N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, IPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 I-PAK
STP8NM60FP N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 900 8 25 TO-220FP
FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1250 6.26 48 TO-220F
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019