Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IPAN80R280P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 280 17 30 TO-220FP
IPA80R450P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 450 11 29 TO-220FP
IPD80R4K5P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 4500 1.5 13 DPAK-4
IPD80R450P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 450 11 73 TO-252
IPU80R4K5P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 4500 1.5 13 I-PAK
IPP80R450P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 450 11 73 TO-220
IPA80R280P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 280 17 30 TO-220FP
IPA80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 1400 4 24 TO-220FP
IPD80R280P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 280 17 101 TO-252
IPD80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 1400 4 32 TO-252
IPP80R280P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 280 17 101 TO-220
IPP80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 1400 4 32 TO-220
IPW80R280P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 280 17 101 TO-247
IPU80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 1400 4 32 I-PAK
IPAN80R450P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 450 11 29 TO-220FP
IPS80R1K4P7 Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В Infineon Technologies MOSFET
 N 1 800 - - - - 1400 4 32 TO-251
FSGM0565R Силовой ключ с режимом Green (FPS™) Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
 - - 650 - - - - 1.8 0.00025 - TO-220F
TK100E08N1 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 80 В Toshiba MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.6 100 255 TO-220
TK100A08N1 Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 70 В Toshiba MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.6 100 45 TO-220SIS
TK100L60W Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 15 100 797 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники