Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FQPF85N06 | 60V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 8 | 53 | 62 |
TO-220F |
| STH150N10F7-2 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 90 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.5 | 90 | 250 |
|
| NDF10N62Z | N-канальный силовой MOSFET 10 А, 620 В, 0.65 Ом |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 620 | - | - | - | - | 650 | 10 | 36 |
|
| SiE844DF | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 8.1 | 5.8 | 44.5 | 22 |
|
| STP19NM65N | N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 250 | 15.5 | 150 |
TO-220 |
| STW14NM50FD | N-channel 500V - 0.32? - 12A - TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 320 | 14 | 160 |
|
| NCV8402 | Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 42 | - | - | - | - | 165 | 2 | 8.9 |
SOT-223-4 |
| FQP33N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 39 | 33 | 127 |
TO-220 |
| STF33N65M2 | N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 140 | 24 | 34 |
|
| IRF2804L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
TO-262 |
| BSS87 | N-канальный D-MOS транзистор режима вертикального повышения |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 1600 | 0.4 | 1 |
SOT-89 |
| PHD36N03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 18 | 14 | 43.4 | 57.6 |
D-PAK |
| Si7120DN | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 23 | 15 | 6.3 | 1.5 |
PowerPAK_1212-8 |
| RFD16N05SM | N-Channel Power MOSFETs |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 50 | - | - | - | - | 47 | 16 | 72 |
|
| NTB125N02R | Power MOSFET 125 A, 24 V N?Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | 4.9 | 3.7 | 125 | 113.6 |
D2-PAK |
| TK20S06K3L | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 29 | 20 | 38 |
|
| FCP16N60N | N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170W |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 16 | 134.4 |
TO-220 |
| IRF7331 | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | 45 | 30 | - | 7 | 2 |
SOIC-8 |
| STF10NM65N | N-channel 650 V, 0.43 ?, 9 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 430 | 9 | 25 |
|
| IRFR320PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 1800 | 3.1 | 42 |
D-PAK |
