Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFT15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.225 SOT-26
IXFH15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
IXFX15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 PLUS247
Si1046R N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 660 - 501 420 - 0.6 0.25 SC75A
IXFH18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-247
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
Si1917EDH P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 12 660 - 470 300 - 1 0.57 SC70-6
IXFR18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 660 660 660 660 660 10.5 200 ISOPLUS247
IXFT18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 TO-268
IXFV18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 PLUS220
IXFV18N90PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 PLUS220SMD
IXFH18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 600 600 600 600 18 540 TO-247
IXFT16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-268
IXFK16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-264AA
IXFH16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-247AD
IXFC16N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 9 150 ISOPLUS220
IXFC15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 13 230 ISOPLUS220
IXFR20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 640 640 640 640 640 11 230 ISOPLUS247
IXFC14N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 630 630 630 630 630 8 100 ISOPLUS220
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники