Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IPW60R099C7 N-канальный MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 99 22 110 TO-247
IRF8714PbF 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 10.9 7.1 14 2.5 SOIC-8
STP25NM50N N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 110 22 160 TO-220
FQP32N20C 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 68 28 156 TO-220
IRF7467 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - 35 13.5 12 10 2.5 SOIC-8
VN2222LL Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts N?Channel TO?92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 7.5 0.14 0.4 TO-92
PHU101NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 30 - - - 5.8 4.5 75 166 I-PAK
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
IXTH75N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 20 20 20 20 20 75 300 TO-247
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
FQI6N60 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.2 130 I2PAK
IRLU4343 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 65 50 26 79 I-PAK
IXFN36N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 240 240 240 240 240 36 700 SOT-227 B
STP36NF06L N-channel 60V - 0.032? - 30A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 32 30 70 TO-220
ZVN4206GV SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 60 - - - - 1000 1 2 SOT-223-4
STP25NM50N N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 110 22 160 TO-220
FDMC8462 N-Channel Power Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 6.4 4.7 20 41 Power 33
PQFN-8
IRFL1006 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 220 1.6 2.1 SOT-223-4
IRFPF50 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 900 - - - - 1600 6.7 190 TO-247AC
NTD20N06L Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - - 20 60 D-PAK
DPAK-3
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019