Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTQ130N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 150 12 12 12 12 12 130 750 TO-3P
IXTQ30N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 400 TO-3P
IXTQ150N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-3P
IXFQ10N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-3P
IXTQ100N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 27 27 27 27 27 100 600 TO-3P
IXTQ30N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-3P
IXTQ50N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 280 66 66 66 66 66 50 340 TO-3P
IXTQ30N60L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-3P
IXTQ96N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-3P
IXFQ14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-3P
IXTQ42N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 84 84 84 84 84 42 300 TO-3P
IXTQ44N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 140 140 140 140 140 44 650 TO-3P
IXTQ110N055P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 55 13.5 13.5 13.5 13.5 13.5 110 390 TO-3P
IXTQ180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-3P
IXTQ10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-3P
IXTQ140N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-3P
FQA13N50CF 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 430 15 218 TO-3P
IXTQ40N50Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 40 500 TO-3P
TK100L60W Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 15 100 797 TO-3P
IXTQ230N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники