Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-220AB
IXFV12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXFB44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 44 1250 PLUS264
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
STW7N95K3 N-channel 950 V, 1.1 ?, 7.2 A, TO-247 Zener-protected SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 1100 7.2 150 TO-247
STF7N95K3 N-channel 950 V, 1.1 ?, 7.2 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 1100 7.2 35 TO-220FP
STP7N95K3 N-channel 950 V, 1.1 ?, 7.2 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 1100 7.2 150 TO-220
STW13N95K3 N-channel 950 V, 0.68 ?, 10 A, SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 680 10 190 TO-247
STW12NK95Z N-channel 950V - 0.69? - 10A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 690 10 230 TO-247
STP13N95K3 N-channel 950 V, 0.68 ?, 10 A, SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 680 10 190 TO-220
STF13N95K3 N-channel 950 V, 0.68 ?, 10 A, SuperMESH3™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 950 - - - - 680 10 40 TO-220FP
FQU2N90 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 5600 1.7 50 I-PAK
TSM4N90CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 4000 4 123 TO-220
IXFK26N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 300 300 300 300 300 26 560 TO-264AA
STE40NK90ZD N-channel 900V - 0.14? - 40A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 900 - - - - 140 40 600 ISOTOP
IXTM12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 1120 8 68 TO-220F
FQD2N90 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 5600 1.7 50 D-PAK
TSM4N90CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 900 - - - - 4000 4 38.7 ITO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники