Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTX17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 PLUS247
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXFH13N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 900 900 900 900 900 12.5 300 TO-247AD
IXFV12N80PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 850 850 850 850 850 12 360 PLUS220SMD
IXFV12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 850 850 850 850 850 12 360 PLUS220
IXFQ12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 850 850 850 850 850 12 360 TO-3P
IXFH12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 850 850 850 850 850 12 360 TO-247
Si1913EDH P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 20 850 - 610 400 - 0.88 0.57 SC70-6
Si1913DH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 20 850 - 610 400 - 0.88 0.57 SC70-6
IXTH14N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 820 820 820 820 820 14 300 TO-247AD
IXTP8N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 800 800 800 800 800 4 41 TO-220-3 ISO
IXFP8N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 800 800 800 800 800 4.4 42 TO-220-3 ISO
IXFM13N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 800 800 800 800 800 13 300 TO-204AA
IXFH13N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 800 800 800 800 800 13 300 TO-247AD
IXTM13N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 800 800 800 800 800 13 300 TO-204AA
IXTH13N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 800 800 800 800 800 13 300 TO-247AD
IXFH13N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 800 800 800 800 800 13 300 TO-247AD
IXTP8N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 800 800 800 800 800 8 150 TO-220
IXTA8N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 800 800 800 800 800 8 150 TO-263
IXTR16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 790 790 790 790 790 -10 190 ISOPLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники