Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| Si4896DY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 13.5 | 6.7 | 1.56 |
SOIC-8 |
| SiHB30N60E | Силовой MOSFET транзистор серии E, 650В, 29А |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 125 | 29 | 250 |
D2-PAK |
| Si4310BDY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 7.5 | 6.5 | 9.8 | 1.47 |
|
| SUM90N03-2m2P | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.2 | 1.8 | 90 | 250 |
D2-PAK |
| IRFZ48RS | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 18 | 50 | 190 |
D2-PAK |
| IRF9630 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 800 | 6.5 | 74 |
TO-220AB |
| Si7411DN | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 27 | - | 20 | 15 | - | 7.5 | 1.5 |
PowerPAK_1212-8 |
| IRFI630G | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 400 | 5.9 | 35 |
TO-220F |
| Si7328DN | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 6.3 | 5.5 | 35 | 52 |
PowerPAK_1212-8 |
| IRC830 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1500 | 4.5 | 74 |
TO-220 |
| IRFR9014PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | - | 500 | 5.1 | 25 |
D-PAK |
| Si4463BDY | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 15 | 10 | 8.5 | 9.8 | 1.5 |
SOIC-8 |
| SiHP12N50C | N-канальные силовые MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 555 | 12 | 208 |
TO-220AB |
| IRFP048R | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 18 | 70 | 190 |
TO-247AC |
| SiE812DF | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2.8 | 2.2 | 60 | 125 |
|
| IRF710S | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 36 |
D2-PAK |
| SiHG21N60EF | N-канальный MOSFET-транзистор с быстродействующим паразитным диодом |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 176 | 21 | 227 |
TO-247AC |
| SUD50P08-25L | P-Channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 80 | - | - | - | 24 | 21 | 50 | 136 |
D-PAK |
| IRFP460A | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 270 | 20 | 280 |
TO-247AC |
| SUD40N08-16 | N-Channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 13 | 40 | 136 |
D-PAK |
