Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
MMDF2P02HD Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P?Channel SO?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 20 - - - 152 118 3.3 2 SOIC-8
DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.25 SOT-563
Si5915BDC Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 8 120 - 86 58 - 4 3.1 ChipFET_1206-8
TSM4410DCS Сдвоенный N-канальный MOSFET транзистор, 25 В, 25 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 2 25 - - - 21 15 25 2 SOP-8
Si4916DY Dual N-Channel 30-V MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 18 15 10.5 3.5 SOIC-8
ZXMP6A16DN8 DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 2 -60 - - - 125 85 -3.9 1.25 SOIC-8
Si5947DU Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 - - 81 48 - 6 10.4 PowerPAK_ChipFET
IRF9910 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 20 - - - 18.3 13.4 10 2 SOIC-8
Si1917EDH P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 12 660 - 470 300 - 1 0.57 SC70-6
STS2DNF30L Dual N-channel 30V - 0.09? - 3A SO-8 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 2 30 - - - 130 90 3 1.6 SOIC-8
FDS4559 60V Complementary PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor N+P
N, P 2 60 - - - 75 55 4.5 2 SOIC-8
IRF9953 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 30 - - - 400 250 2.3 2 SOIC-8
MMDF2P02E Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P?Channel SO?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 25 - - - 300 190 2.5 2 SOIC-8
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-363
Si5903DC Dual P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 - - 215 130 - 2.1 1.1 ChipFET_1206-8
TSM3900DCX6 Сдвоенный N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 2 20 110 70 - 55 - 2 2 SOT-26
Si4914BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 20 15.5 8 3.1 SOIC-8
Si1553DL Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 1.4 850 - 0.41 0.27 SC70-6
FDW9926A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 24 - 4.5 1 TSSOP-8
IRF9956 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 200 100 3.5 2 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019