Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFH150N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 175 12 12 12 12 12 150 880 TO-247
IXZ318N50 Z-MOS RF Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 - - - - 325 19 880 DE375
IXFH160N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 9 9 9 9 9 160 880 TO-247
IXFT70N30Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 54 54 54 54 54 70 830 TO-268
IXTQ470P2 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 145 145 145 145 145 42 830 TO-3P
IXFH86N30T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 43 43 43 43 43 86 830 TO-247
IXFT86N30T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 43 43 43 43 43 86 830 TO-268
IXFX48N60P PolN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 135 135 135 135 135 48 830 PLUS247
IXFN360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 360 830 SOT-227
IXFH42N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 185 185 185 185 185 42 830 TO-247
IXFK48N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 135 135 135 135 135 48 830 TO-264
IXTH130N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 16 16 16 16 16 130 830 TO-247
IXFX180N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 11 11 11 11 11 180 830 PLUS247
IXFK180N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 11 11 11 11 11 180 830 TO-264
MMIX1T600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 600 830 SMPD-X
IXFH18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-247
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
IXTH150N17T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 175 12 12 12 12 12 150 830 TO-247
IXFN240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 830 SOT-227
IXFH150N17T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 175 12 12 12 12 12 150 830 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники