Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMP22D6UT P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXTP3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-220AB
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
IXFM7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-204AA
IXFH7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-247AD
IXFP7N80PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 3.5 50 TO-220
IXFI7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFP7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFA7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-263
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220
IXTM6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-204AA
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTH6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники