Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
STD3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 D-PAK
IXFA4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-220
IXTP1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-220
IXFK21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 21 500 TO-264AA
IXFX26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 PLUS247
IXFP5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-220
IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 3.5 80 ISOPLUS247
IXTA1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-263
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXFR21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 18 350 ISOPLUS247
IXFK26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 TO-264
IXFH5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-247
IRFBG30PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-220AB
STP3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 TO-220
IXFP05N100M N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTH10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-247
IXFR24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 490 490 490 490 490 18 500 ISOPLUS247
IXFN32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 28 780 SOT-227 B
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
IXTP1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники