Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFB72N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 550 72 72 72 72 72 72 890 PLUS264
IXTK170P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 12 12 12 12 12 -170 890 TO-264
IXTX32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 PLUS247
IXTK32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 TO-264
IXFH120N25T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 23 23 23 23 23 120 890 TO-247
IXFN80N50Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 60 60 60 60 60 80 890 SOT-227 B
IXFB80N50Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 60 60 60 60 60 80 890 PLUS264
IXFB50N80Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 160 160 160 160 160 50 890 PLUS264
IXFN52N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 160 160 160 160 160 43 890 SOT-227 B
IXTN90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 SOT-227
IXTK90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 TO-264
IXFN40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 34 890 SOT-227 B
IXTX90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 PLUS247
IXFN70N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 600 88 88 88 88 88 70 890 SOT-227 B
IXFB70N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 600 88 88 88 88 80 70 890 PLUS264
IXTN40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 230 230 230 230 230 -40 890 SOT-227
IXTX40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 230 230 230 230 230 -40 890 PLUS247
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXTK40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 230 230 230 230 230 -40 890 TO-264
IXFT150N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 175 12 12 12 12 12 150 880 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники