Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 |
|
Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
5134.64-6 |
| 1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1645РТ2У | Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит |
|
Миландр |
NOR Flash |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
5134.64-6 |
| 5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н09.28-1В |
| 1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| TC58DVM92A3TA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58NVG1S3CBAJX | 256М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| TC58DVG02A3TA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| TC58NVM9S3CTA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58NVG0S3CTA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
