Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT45DCB008D | 8 МB, 2.7В DataFlash® Cards |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
65536 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| AT45DCB004C | 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards с последовательным интерфейсом |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
32768 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| AT45DCB004D | 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
32768 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| AT45DCB002D | 2 МB, 2.7В DataFlash® Cards |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
16384 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| M29W128GL | 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 |
|
Numonyx |
NOR Flash |
16384 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | -65 ... 150 |
|
| M29W128GH | 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 |
|
Numonyx |
NOR Flash |
16384 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | -65 ... 150 |
|
| M29W256GL | 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 |
|
Numonyx |
NOR Flash |
16384 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | -65 ... 150 |
|
| M29W256GH | 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 |
|
Numonyx |
NOR Flash |
16384 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | -65 ... 150 |
|
| M29DW128G | 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16 |
|
Numonyx |
NOR Flash |
8192 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | -65 ... 150 |
|
| 1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н09.28-1В |
| 1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 |
|
Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
5134.64-6 |
| A29010 | 128K x 8 бит, 5-вольтовая FLASH память, унифицированные сектора |
|
AMIC Technology |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
|
| 1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| S26KS512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
| S26KL512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
| S26KS256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
