Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| MT29F1G08ABB | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| AT45DB041E | 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT45DB041E | 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| K9F1208R0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| S30MS01GP | 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 | - |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| KFM1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| S30MS01GP | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 | - |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| KFW4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| S30MS512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 | - |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| KFH2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
