Блок-схема
Группа компонентов
NOR Flash
Основные параметры
Объем памяти,Мбит |
16
|
Организация: Слов,K |
2048
|
Организация: Разрядов,бит |
8
|
Время выборки,нс |
65
|
VCC,В |
от 3 до 3.6
|
ICC,мА |
50
|
TA,°C |
от -60 до 125
|
Корпус |
Н16.48-1В
|
Общее описание
Отличительные особенности
- Емкость ЭСППЗУ 16 Мбит (2М х 8)
- Наличие последовательного и параллельного интерфейса
- Диапазон напряжения питания: 3,0–3,6 В
- Совместимость по входам с 5В («5 В толерантность»)
- Технологический процесс 0,25 мкм
- Время доступа по чтению 65 нс
- Потребление в режиме хранения не более 1 мА
- Потребление в режиме чтения не более 50 мА
- Восемь секторов по 64 Кбайт
- Возможность стирания любой комбинации секторов и всей памяти
- Функция защиты сектора от стирания и записи: аппаратная проверка сектора для предотвращения стирания и записи
- Уменьшение времени программирования при повторяющихся программных командных последовательностях (режим bypass)
- Аппаратный алгоритм автоматического стирания и верификации всей памяти или желаемого количества секторов
- Аппаратный алгоритм автоматической верификации и записи данных по указанному адресу
- Гарантированное количество циклов стирания 100 000
- Время сохранения данных 13 лет при температуре 125 °С
- Программный метод детектирования окончания циклов стирания и записи
- Поддержка чтения и записи данных при незавершённом стирании сектора
- Встроенная схема формирования высоковольтного напряжения программирования и стирания
- Встроенная схема сброса при включении питания
- Фильтрация импульсных помех по выводам /CE, /WE, /OE
- Температурный диапазон:
- 1636РР2А(Б)У: -60...+125°С
- К1636РР2А(Б)У: -45...+125°С
- К1636РР2В(Г)У: 0...+70°С
|
Datasheet
1636РР2АУ (851.4 Кб), 26.01.2016
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Где купить ещё
|