Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
AT45DB642D 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - BGA-24
TSSOP-28
CASON-8
TSOP-28
NAND128W3A 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
AT25DF321A 32 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
NAND64GW3D4A 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
TC58DVM92A3TA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
HY27UH08AG5M 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
IS25LP128 128 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных ISSI NOR Flash
- - 2.3 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-8
TFBGA-24
VSOP-8
WSON-8
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
AT25DF161 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
NAND32GW3D4A 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M45PE80 8Мб, 50МГц низкопотребляющая постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UH08AG5B 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
IS25LP064 64 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных ISSI NOR Flash
- - 2.3 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-8
TFBGA-24
VSOP-8
WSON-8
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
AT25F512B 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019