Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
AT26DF161A | Последовательная Flash память семейства DataFlash размером 16 Мбит для хранения кода прошивки |
![]() |
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 VDFN-8 |
5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС |
![]() |
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н09.28-1В |
1645РТ2У | Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит |
![]() |
Миландр |
NOR Flash |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
5134.64-6 |
1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 |
![]() |
Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
5134.64-6 |
S26KL512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
S26KS512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
S26KL256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
S26KS256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
S26KL128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
S26KS128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации |
![]() |
Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 | - |
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
![]() |
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
![]() |
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
![]() |
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|