Группа компонентов
NOR Flash
Основные параметры
Объем памяти,Мбит |
4
|
Организация: Слов,K |
512
|
Организация: Разрядов,бит |
8
|
Время выборки,нс |
60
|
VCC,В |
от 3 до 3.6
|
ICC,мА |
40
|
TA,°C |
от -60 до 125
|
Корпус |
Н14.42-1В
|
Общее описание
Отличительные особенности
- Информационная емкость 4М (512К х 8) бит;
- Наличие двух последовательных и параллельного интерфейсов;
- Совместимость по входам с 5 В («5 В толерантность»);
- Два сектора по 2 Мбит;
- 256 страниц по 16 Кбит;
- Возможность стирания страниц, комбинации секторов и всей памяти;
- Функция защиты сектора от стирания и записи: аппаратная проверка сектора для предотвращения стирания и записи;
- Уменьшение времени программирования при повторяющихся программных командных последовательностях (режим bypass);
- Аппаратный алгоритм автоматического стирания и верификации всей памяти или желаемого количества секторов;
- Аппаратный алгоритм автоматической верификации и записи данных по указанному адресу;
- Программный метод детектирования окончания циклов стирания и записи;
- Встроенная схема формирования высоковольтного напряжения программирования и стирания;
- Встроенная схема сброса при включении питания;
- Время сохранения данных 13 лет при температуре 125°С;
- 10 000 циклов записи/стирания данных при температуре 125°С;
- Напряжение питания от 3,0 до 3,6 В;
- Ток потребления в режиме хранения не более 1 мА;
- Динамический ток потребления не более 40 мА;
- Время выборки не более 60 нс;
- Температурный диапазон:
- 1636РР3У: -60...+125°С
- К1636РР3У: -60...+125°С
- К1636РР3УК: 0...+70°С
|
Datasheet
1636РР3У (1.2 Мб), 02.02.2016
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Где купить ещё
|