5576РС1У ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС

 

Блок-схема

5576РС1У, ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС
Увеличить

Группа компонентов

NOR Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 4
Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 8
Время
выборки
,нс
100
VCC от 3 до 3.6
ICC,мА 50
TA,°C от -60 до 125
Корпус Н09.28-1В

Общее описание

Отличительные особенности

  • Емкость накопителя Flash типа 4 Мбит
  • Интерфейс JTAG - IEEE Std. 1149.1;
  • С(DCLK)) не более 30нс;
  • Период следования импульсов тактовых сигналов на входе TCK (TС(TCK)) не менее 100 нс;
  • Ток потребления в режиме хранения, ICCS, не более 1мА;
  • Динамический ток потребления в режиме конфигурирования, IOCC, не более 50 мА;
  • Температурный диапазон:
    • 5576РС1У: -60...+125°С
    • К5576РС1У: -60...+125°С
    • К5576РС1УК: 0...+70°С
Datasheet
 
5576РС1У (658.1 Кб), 02.02.2016

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: +7 (495) 981 5433
    Тел: +7 (495) 981 5436 (факс)


Где купить ещё

Datasheet

5576РС1У ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС (658.1 Кб), 02.02.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 3028
Дата публикации: 02.02.2016 09:37
Дата редактирования: 02.02.2016 09:45


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019