Блок-схема
Группа компонентов
NOR Flash
Основные параметры
Объем памяти,Мбит |
4
|
Организация: Слов,K |
512
|
Организация: Разрядов,бит |
8
|
Время выборки,нс |
60
|
VCC,В |
от 3 до 3.6
|
ICC,мА |
40
|
TA,°C |
от -60 до 125
|
Корпус |
Н14.42-1В
|
Общее описание
Отличительные особенности
- Емкость ЭСППЗУ 4 Мбит (512К х 8)
- Наличие последовательного и параллельного интерфейса;
- Диапазон напряжения питания: 3,0–3,6 В;
- Совместимость по входам с 5В («5 В толерантность»);
- Технологический процесс 0,25 мкм;
- Время доступа по чтению 60 нс;
- Потребление в режиме хранения не более 1 мА;
- Потребление в режиме чтения не более 40 мА;
- Восемь секторов по 64 Кбайт;
- Возможность стирания любой комбинации секторов и всей памяти;
- Функция защиты сектора от стирания и записи: аппаратная проверка сектора для предотвращения стирания и записи;
- Уменьшение времени программирования при повторяющихся программных командных последовательностях (режим bypass);
- Аппаратный алгоритм автоматического стирания и верификации всей памяти или желаемого количества секторов;
- Аппаратный алгоритм автоматической верификации и записи данных по указанному адресу;
- Гарантированное количество циклов стирания 100 000
- Время сохранения данных 13 лет при температуре 125 °С;
- Программный метод детектирования окончания циклов стирания и записи;
- Поддержка чтения и записи данных при незавершённом стирании сектора;
- Встроенная схема формирования высоковольтного напряжения программирования и стирания;
- Встроенная схема сброса при включении питания;
- Фильтрация импульсных помех по выводам /CE, /WE, /OE;
- Температурный диапазон:
- 1636РР1А(Б)У: -60...+125°С
- К1636РР1А(Б)У: -45...+125°С
- К1636РР1В(Г)У: 0...+70°С
|
Datasheet
1636РР1АУ (466.1 Кб), 08.11.2010
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Где купить ещё
|