Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
| 1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
| 5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н09.28-1В |
| K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| IS25LP256 | 256 Мб Flash-память с последовательным доступом, 166 МГц, интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных |
|
ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-16 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| IS25LP064 | 64 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных |
|
ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-8 |
| TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 | - |
|
| IS25LP032 | 32 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных |
|
ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-8 |
| IS25LP128 | 128 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных |
|
ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-8 |
| TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 | - |
|
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
