IXFX120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXFX120N30T, N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 300
RDS(ON) 1.8 В,мОм 24
RDS(ON) 2,7 В,мОм 24
RDS(ON) 2,5 В,мОм 24
RDS(ON) 4.5 В,мОм 24
RDS(ON) 10 В,мОм 24
ID 120
PD,Вт 960
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXFx120N30T (139.2 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор (139.2 Кб), 20.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 469
Дата публикации: 20.01.2012 13:47
Дата редактирования: 20.01.2012 13:48


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019