IXTX60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTX60N50L2, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 100
RDS(ON) 2,7 В,мОм 100
RDS(ON) 2,5 В,мОм 100
RDS(ON) 4.5 В,мОм 100
RDS(ON) 10 В,мОм 100
ID 60
PD,Вт 960
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXTx60N50L2 (158.5 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (158.5 Кб), 23.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 486
Дата публикации: 23.01.2012 09:43
Дата редактирования: 23.01.2012 09:44


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019