Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFP10N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 10 200 TO-220
IXFA10N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 10 200 TO-263
IXTP10N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 10 200 TO-220
IXTA10N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 10 200 TO-263
IXTP10N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 740 740 740 740 740 5 50 TO-220-3 ISO
IXTT16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-268
IXTH16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-247
IXFV14N80PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 PLUS220SMD
IXFV14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 PLUS220
IXFQ14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-3P
IXFH14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-247
IXFT14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-268
IXFH13N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 700 700 700 700 700 13 250 TO-247AD
IXFT13N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 700 700 700 700 700 13 250 TO-268
IXTH14N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 700 700 700 700 700 14 300 TO-247
IXFH15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
IXFK15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-264AA
IXFT15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFT15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFH15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники