Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FDU6612A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 20 | 15 | 30 | 36 |
|
| IXTP3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
TO-220AB |
| IRFI840G | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 850 | 4.6 | 40 |
TO-220F |
| STW15NM60N | N-channel 600V - 0.270? - 14A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 270 | 14 | 125 |
|
| ZVP2110G | SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -100 | - | - | - | - | 8000 | -0.31 | 2 |
SOT-223-4 |
| NTA4153N | Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?75 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 242 | - | - | 127 | - | 915 | 300 |
|
| IRFP15N60L | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 385 | 15 | 280 |
TO-247AC |
| IXTA42N15T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 42 | 200 |
|
| IXFN44N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 44 | 700 |
|
| IRFU4104 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.5 | 42 | 140 |
|
| STD40NF10 | N-channel 100V - 0.025? - 50A DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 25 | 50 | 125 |
D-PAK |
| STW6NK70Z | N-channel 700V - 1.5? - 5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 1500 | 5 | 110 |
|
| IRF634NPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 435 | 8 | 88 |
TO-220AB |
| IXFR20N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 640 | 640 | 640 | 640 | 640 | 11 | 230 |
|
| IXFK88N20Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 88 | 500 |
|
| IRF8010S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 15 | 80 | 260 |
D2-PAK |
| STP22NF03L | N-channel 30 V, 0.0038 ?, 22 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 38 | 22 | 45 |
TO-220 |
| FQPF55N10 | 100V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 21 | 34.2 | 60 |
TO-220F |
| STP12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 90 |
TO-220 |
| Si3433BDV | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 60 | - | 45 | 34 | - | 4.3 | 1.1 |
|
